창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7104DN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI7104DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 26.1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7104DN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7104D, SI7104DN-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
225TXK450MFH | ELECTROLYTIC | 225TXK450MFH.pdf | ||
EKMH500VSN682MA30T | 6800µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 49 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH500VSN682MA30T.pdf | ||
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GRM0335C2A9R6CA01J | 9.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C2A9R6CA01J.pdf | ||
VJ0402D110GXXAP | 11pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D110GXXAP.pdf | ||
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SCEP104S-1R8 | 1.8µH Shielded Inductor 8A 18.6 mOhm Max Nonstandard | SCEP104S-1R8.pdf | ||
CRCW12062R00FKEAHP | RES SMD 2 OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW12062R00FKEAHP.pdf | ||
ERJ-PA3D63R4V | RES SMD 63.4 OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D63R4V.pdf | ||
RG1608V-1431-P-T1 | RES SMD 1.43K OHM 1/10W 0603 | RG1608V-1431-P-T1.pdf | ||
Y1453150R000F9L | RES 150 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y1453150R000F9L.pdf |