Vishay BC Components SI7106DN-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI7106DN-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI7106DN-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 496.67904
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI7106DN-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI7106DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7106DN-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI7106DN-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI7106DN-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7106DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Si7106DN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.2m옴 @ 19.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7106DN-T1-GE3TR SI7106DNT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI7106DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7106D, SI7106DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI7106DN-T1-GE3 의 관련 제품
 | 228KXM035M | 2200µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 90.4 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 105°C | 228KXM035M.pdf | |
 | VJ0603D100GXBAC | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D100GXBAC.pdf | |
 | CX5Z-A5B2C5-40-27.0D18 | 27MHz ±20ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX5Z-A5B2C5-40-27.0D18.pdf | |
 | 416F50025IKT | 50MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50025IKT.pdf | |
 | SIT8008AC-13-33E-17.170600D | OSC XO 3.3V 17.1706MHZ OE | SIT8008AC-13-33E-17.170600D.pdf | |
.jpg) | 245NQ015-1 | DIODE SCHOTTKY 15V 240A PRM1-1 | 245NQ015-1.pdf | |
 | 7447462100 | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 2.5A 80 mOhm Max Radial | 7447462100.pdf | |
 | AIUR-03-560K | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 900mA 180 mOhm Max Radial | AIUR-03-560K.pdf | |
| S0402-33NH2S | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 370 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-33NH2S.pdf | |
| CH-16 | 15mH Unshielded Inductor 16A 80 mOhm Nonstandard | CH-16.pdf | |
.jpg) | CRGH0805F3K32 | RES SMD 3.32K OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F3K32.pdf | |
 | HRG3216P-5112-B-T5 | RES SMD 51.1K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-5112-B-T5.pdf |
