Vishay BC Components SI7121DN-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI7121DN-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI7121DN-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 563.39712
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI7121DN-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI7121DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7121DN-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI7121DN-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI7121DN-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7121DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI7121ADN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1960pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7121DN-T1-GE3TR SI7121DNT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI7121DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7121D, SI7121DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI7121DN-T1-GE3 의 관련 제품
 | VJ1206A560KBCAT4X | 56pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A560KBCAT4X.pdf | |
| VJ1206A181JBCAT4X | 180pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A181JBCAT4X.pdf | |
.jpg) | SMCJ13AE3/TR13 | TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMCJ | SMCJ13AE3/TR13.pdf | |
 | SIHB30N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | SIHB30N60E-GE3.pdf | |
 | AIML-0603-R39K-T | 390nH Shielded Multilayer Inductor 35mA 1 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | AIML-0603-R39K-T.pdf | |
 | HCPL-0500-500E | Optoisolator Transistor with Base Output 3750Vrms 1 Channel 8-SO | HCPL-0500-500E.pdf | |
 | RG2012P-4873-B-T5 | RES SMD 487K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-4873-B-T5.pdf | |
.jpg) | AT1206CRD0748K7L | RES SMD 48.7KOHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD0748K7L.pdf | |
 | HRG3216P-1300-D-T5 | RES SMD 130 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-1300-D-T5.pdf | |
| RG1005N-3240-W-T5 | RES SMD 324 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005N-3240-W-T5.pdf | |
 | CRCW0805274RFKEB | RES SMD 274 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805274RFKEB.pdf | |
 | YC162-JR-07910KL | RES ARRAY 2 RES 910K OHM 0606 | YC162-JR-07910KL.pdf |
