창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7145DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI7145DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 11/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 413nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15660pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7145DP-T1-GE3TR SI7145DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7145DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7145D, SI7145DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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5MQ331KAAAA | 330pF 500V 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.157" Dia(4.00mm) | 5MQ331KAAAA.pdf | ||
MKP1841515406 | 1.5µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.630" W (41.50mm x 16.00mm) | MKP1841515406.pdf | ||
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T86D106M035EAAL | 10µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 500 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D106M035EAAL.pdf | ||
416F40625IKR | 40.61MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40625IKR.pdf | ||
MP6-2L-1Q-1Q-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2L-1Q-1Q-00.pdf | ||
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