창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7149DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI7149DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 147nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4590pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7149DP-T1-GE3-ND SI7149DP-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7149DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7149D, SI7149DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | B43540B2687M87 | 680µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 120 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540B2687M87.pdf | |
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![]() | 12107C272KAT2A | 2700pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12107C272KAT2A.pdf | |
![]() | FVXO-PC73B-334.8 | 334.8MHz LVPECL VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 120mA Enable/Disable | FVXO-PC73B-334.8.pdf | |
![]() | FOD410S | Optoisolator Triac Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | FOD410S.pdf | |
![]() | 12-10 | MTG.BRACKETS D77166 PK OF 10 | 12-10.pdf | |
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![]() | RT0805DRE0716K9L | RES SMD 16.9K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE0716K9L.pdf | |
![]() | PE1206FRF070R033L | RES SMD 0.033 OHM 1% 1/4W 1206 | PE1206FRF070R033L.pdf | |
![]() | RG1608V-9310-W-T5 | RES SMD 931 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608V-9310-W-T5.pdf | |
![]() | AMS22S5A1BLAFL135 | ROTARY NON-CONTACT ANALOG SENSOR | AMS22S5A1BLAFL135.pdf |