Vishay BC Components SI7149DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI7149DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI7149DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 756.13824
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI7149DP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI7149DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7149DP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI7149DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI7149DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7149DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI7149DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 147nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4590pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 69W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7149DP-T1-GE3-ND SI7149DP-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI7149DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7149D, SI7149DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI7149DP-T1-GE3 의 관련 제품
 | GRM1885C1H681GA01J | 680pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H681GA01J.pdf | |
 | DE6E3KJ472MB3B | 4700pF 300VAC 세라믹 커패시터 E 방사형, 디스크 0.472" Dia(12.00mm) | DE6E3KJ472MB3B.pdf | |
 | C907U509CZNDAAWL20 | 5pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U509CZNDAAWL20.pdf | |
| MKP383313063JC02R0 | 0.013µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | MKP383313063JC02R0.pdf | |
 | TPSD477K004R0045 | 470µF Molded Tantalum Capacitors 4V 2917 (7343 Metric) 45 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSD477K004R0045.pdf | |
 | 595D335X0020B2T | 3.3µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 1611 (4028 Metric) 0.157" L x 0.110" W (4.00mm x 2.80mm) | 595D335X0020B2T.pdf | |
 | GBJ606 | RECT BRIDGE GPP 600V 6A GBJ | GBJ606.pdf | |
 | 1N4764P/TR12 | DIODE ZENER 100V 1W DO204AL | 1N4764P/TR12.pdf | |
 | ISC1210ER390J | 39µH Shielded Wirewound Inductor 105mA 5.9 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210ER390J.pdf | |
.jpg) | RT1206FRD0712R7L | RES SMD 12.7 OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD0712R7L.pdf | |
 | CR2010-JW-180ELF | RES SMD 18 OHM 5% 1/2W 2010 | CR2010-JW-180ELF.pdf | |
| RT1206CRD073K57L | RES SMD 3.57KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD073K57L.pdf |
