창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7164DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI7164DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.25m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2830pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7164DP-T1-GE3TR SI7164DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7164DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7164D, SI7164DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 402F25022ILR | 25MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F25022ILR.pdf | |
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![]() | TNPW12061K69BEEA | RES SMD 1.69K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW12061K69BEEA.pdf | |
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![]() | TC124-FR-0726K7L | RES ARRAY 4 RES 26.7K OHM 0804 | TC124-FR-0726K7L.pdf | |
![]() | MSF4800-30-1200-R2 | RECEIVER SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800-30-1200-R2.pdf | |
![]() | IMN66124M12 | Inductive Proximity Sensor 0.157" (4mm) IP67 Cylinder, Threaded - M12 | IMN66124M12.pdf |