창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7216DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Si7216DN | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 20.8W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7216DN-T1-GE3TR SI7216DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7216DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7216D, SI7216DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | DSC1104DE1-125.0000T | 125MHz HCSL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 42mA Standby (Power Down) | DSC1104DE1-125.0000T.pdf | |
![]() | CBR1-D100S | RECT BRIDGE 1A 1KV 4SMDIP | CBR1-D100S.pdf | |
![]() | LTST-010TBKT | Blue 470nm LED Indication - Discrete 3.3V 2-SMD, No Lead | LTST-010TBKT.pdf | |
![]() | G6AU-234P-ST-US-DC24 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | G6AU-234P-ST-US-DC24.pdf | |
![]() | ERJ-3GEYJ913V | RES SMD 91K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-3GEYJ913V.pdf |