Vishay BC Components SI7270DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI7270DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI7270DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 588.10767
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI7270DP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI7270DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7270DP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI7270DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI7270DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7270DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI7270DP-T1-GE3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 17.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI7270DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7270D, SI7270DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI7270DP-T1-GE3 의 관련 제품
 | VJ0603D330KXPAP | 33pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D330KXPAP.pdf | |
 | VJ0805D271JLAAJ | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D271JLAAJ.pdf | |
 | 406I35B12M68800 | 12.688MHz ±30ppm 수정 13pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406I35B12M68800.pdf | |
 | ELJ-FA470JFD | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 6.7 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ELJ-FA470JFD.pdf | |
 | 6100-151K-RC | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 1.61A 240 mOhm Max Radial | 6100-151K-RC.pdf | |
| CLS8D28NP-100NC | 10µH Unshielded Inductor 3.1A 81 mOhm Max Nonstandard | CLS8D28NP-100NC.pdf | |
 | 2974914 | I/O Module Rack 8 Channel | 2974914.pdf | |
.jpg) | AT0805DRE07180RL | RES SMD 180 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE07180RL.pdf | |
.jpg) | RT1206DRE0745R3L | RES SMD 45.3 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0745R3L.pdf | |
.jpg) | RCS06032R10FKEA | RES SMD 2.1 OHM 1% 1/4W 0603 | RCS06032R10FKEA.pdf | |
 | RNF18FTD316R | RES 316 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD316R.pdf | |
| P51-300-G-G-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-G-G-I12-4.5OVP-000-000.pdf |
