창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7322DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI7322DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 58m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 750pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7322DN-T1-GE3TR SI7322DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7322DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7322D, SI7322DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | CM309E12288000ABET | 12.288MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E12288000ABET.pdf | |
![]() | SIT9120AC-2D2-33E156.250000X | 156.25MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable | SIT9120AC-2D2-33E156.250000X.pdf | |
![]() | SG-210STF 15.0000ML | 15MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.6 V ~ 3.6 V 1.8mA Standby (Power Down) | SG-210STF 15.0000ML.pdf | |
![]() | PA4340.682NLT | 6.8µH Shielded Molded Inductor 4A 76.2 mOhm Max Nonstandard | PA4340.682NLT.pdf | |
![]() | RT0603FRD0746K4L | RES SMD 46.4K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRD0746K4L.pdf | |
![]() | RT2512FKE07301KL | RES SMD 301K OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE07301KL.pdf | |
![]() | Y11695K49000T0L | RES SMD 5.49K OHM 0.6W 3017 | Y11695K49000T0L.pdf |