Vishay BC Components SI7615ADN-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI7615ADN-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI7615ADN-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
103150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 281.69856
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI7615ADN-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI7615ADN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7615ADN-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI7615ADN-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI7615ADN-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7615ADN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Si7615ADN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 11/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 183nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5590pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7615ADN-T1-GE3TR SI7615ADNT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI7615ADN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7615AD, SI7615ADN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI7615ADN-T1-GE3 의 관련 제품
 | GP222 | 2200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.374" Dia(9.50mm) | GP222.pdf | |
 | 893D157X96R3D2TE3 | 150µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 893D157X96R3D2TE3.pdf | |
 | USB6B1 | TVS DIODE 5.25VWM 8SOIC | USB6B1.pdf | |
 | ABS25-100.000KHZ-T | 100kHz ±30ppm 수정 12.5pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 5.50mm 피치 | ABS25-100.000KHZ-T.pdf | |
 | 416F52012ATR | 52MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52012ATR.pdf | |
 | SIT3808AC-D-33EZ | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA Enable/Disable | SIT3808AC-D-33EZ.pdf | |
 | IRF7319PBF | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | IRF7319PBF.pdf | |
| DY075-8 | AC/DC CONVERTER 15V 5V 75W | DY075-8.pdf | |
 | RG1005P-6191-W-T5 | RES SMD 6.19K OHM 1/16W 0402 | RG1005P-6191-W-T5.pdf | |
 | CMH322522-R18KL | 180nH Shielded Wirewound Inductor 450mA 250 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | CMH322522-R18KL.pdf | |
| P51-50-A-H-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Absolute Male - M12 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-A-H-I12-4.5V-000-000.pdf | |
 | IPSSAT-GM1P9-5C | Pressure Sensor -14.5 PSI ~ 131 PSI (-100 kPa ~ 900 kPa) Gauge Male - 3/4" (19.05mm) BSP 4 mA ~ 20 mA Cylinder, Threaded | IPSSAT-GM1P9-5C.pdf |
