창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7623DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Si7623DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 11/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5460pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7623DN-T1-GE3TR SI7623DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7623DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7623D, SI7623DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 445W33J14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 9pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W33J14M31818.pdf | |
![]() | ASGTX-P-122.880MHZ-2-T | 122.88MHz LVPECL VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 60mA | ASGTX-P-122.880MHZ-2-T.pdf | |
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![]() | CPF0603B34R8E1 | RES SMD 34.8 OHM 0.1% 1/16W 0603 | CPF0603B34R8E1.pdf | |
![]() | TC164-FR-07147KL | RES ARRAY 4 RES 147K OHM 1206 | TC164-FR-07147KL.pdf | |
![]() | ORNTV10022002T0 | RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC | ORNTV10022002T0.pdf | |
![]() | SFR2500005604JA500 | RES 5.6M OHM 0.4W 5% AXIAL | SFR2500005604JA500.pdf | |
![]() | HMC517LC4TR | RF Amplifier IC General Purpose 17GHz ~ 26GHz 24-SMT (4x4) | HMC517LC4TR.pdf | |
![]() | 315000090191 | HERMETIC THERMOSTAT | 315000090191.pdf |