창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7655DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Si7655DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | Si7655DN -20 V P-Channel MOSFET | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 11/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 57W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7655DN-T1-GE3TR SI7655DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7655DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7655D, SI7655DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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T543D157K010AHW005D100 | 150µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 5 mOhm @ 100kHz 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T543D157K010AHW005D100.pdf | ||
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![]() | RCWE080522L0FMEA | RES SMD 0.022 OHM 1% 1/4W 0805 | RCWE080522L0FMEA.pdf | |
![]() | RW2R0DAR470JT | RES SMD 0.47 OHM 5% 2W J LEAD | RW2R0DAR470JT.pdf |