창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7726DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI7726DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | SkyFET®, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1765pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7726DN-T1-GE3TR SI7726DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7726DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7726D, SI7726DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | CD17FD101JO3 | 100pF Mica Capacitor 500V Radial 0.449" L x 0.181" W (11.40mm x 4.60mm) | CD17FD101JO3.pdf | |
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![]() | P4KE100CATR | TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO41 | P4KE100CATR.pdf | |
![]() | 416F384XXAAT | 38.4MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384XXAAT.pdf | |
![]() | 1N5950D G | DIODE ZENER 110V 1.25W DO204AL | 1N5950D G.pdf | |
![]() | STP34NM60N | MOSFET N-CH 600V 29A TO-220 | STP34NM60N.pdf | |
![]() | AT0805DRE076K81L | RES SMD 6.81K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE076K81L.pdf | |
![]() | HMC372LP3E | RF Amplifier IC CDMA, GSM, EDGE, W-CDMA 700MHz ~ 1GHz | HMC372LP3E.pdf |