Vishay BC Components SI7852DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI7852DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI7852DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,571.58143
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI7852DP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI7852DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7852DP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI7852DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI7852DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7852DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI7852DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.5m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7852DP-T1-GE3-ND SI7852DP-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI7852DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7852D, SI7852DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI7852DP-T1-GE3 의 관련 제품
 | MAL214635392E3 | 3900µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 125°C | MAL214635392E3.pdf | |
 | 757D128M016DG3D | 1200µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 145 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 105°C | 757D128M016DG3D.pdf | |
-5.jpg) | CL05C180GB5NCNC | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05C180GB5NCNC.pdf | |
 | A103M15X7RF5TAA | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A103M15X7RF5TAA.pdf | |
 | TCLAMP2502N.TCT | TVS DIODE 2.5VWM 25VC 10SLP | TCLAMP2502N.TCT.pdf | |
 | BZW04-28B-E3/73 | TVS DIODE 28.2VWM DO204AL | BZW04-28B-E3/73.pdf | |
 | SIT3807AI-G-25EH | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 33mA Enable/Disable | SIT3807AI-G-25EH.pdf | |
| XQDAWT-00-0000-00000LDF4 | LED Lighting XLamp® XQ-D White, Neutral 4750K 3.1V 350mA 145° 2-SMD, No Lead | XQDAWT-00-0000-00000LDF4.pdf | |
 | IMC1812ES821K | 820µH Unshielded Wirewound Inductor 30mA 35 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ES821K.pdf | |
.jpg) | RT1206CRB07187RL | RES SMD 187 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB07187RL.pdf | |
| RR02J1R3TB | RES 1.30 OHM 2W 5% AXIAL | RR02J1R3TB.pdf | |
| 40F2R0 | RES 2 OHM 10W 1% AXIAL | 40F2R0.pdf |
