Vishay BC Components SI7892BDP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI7892BDP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI7892BDP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 787.02633
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI7892BDP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI7892BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7892BDP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI7892BDP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI7892BDP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7892BDP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Si7892BDP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3775pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7892BDP-T1-GE3TR SI7892BDPT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI7892BDP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7892BD, SI7892BDP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI7892BDP-T1-GE3 의 관련 제품
 | MAL214234472E3 | 4700µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 2500 Hrs @ 105°C | MAL214234472E3.pdf | |
 | 1.5KE220CA-T | TVS DIODE 185VWM 328VC DO201A | 1.5KE220CA-T.pdf | |
 | ASTMHTV-66.666MHZ-XR-E-T3 | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-66.666MHZ-XR-E-T3.pdf | |
 | 520M15IT16M3677 | 16.367667MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2mA | 520M15IT16M3677.pdf | |
| VS-VSKE320-04PBF | DIODE GEN 400V 320A MAGNAPAK | VS-VSKE320-04PBF.pdf | |
 | ELJ-QE3N9DFA | 3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 750mA 70 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | ELJ-QE3N9DFA.pdf | |
 | ACPL-K54L-500E | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 2 Channel 8-SO Stretched | ACPL-K54L-500E.pdf | |
| MK3P-I AC12 | General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 12VAC Coil Socketable | MK3P-I AC12.pdf | |
 | CMF5522R000JKEB39 | RES 22 OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF5522R000JKEB39.pdf | |
 | HMC168C8 | RF Mixer IC General Purpose Up/Down Converter 4.5GHz ~ 8GHz 8-SOIC | HMC168C8.pdf | |
 | HMC144LC4TR-R5 | RF Mixer IC General Purpose Up/Down Converter 6GHz ~ 20GHz 24-SMT (4x4) | HMC144LC4TR-R5.pdf | |
| P51-500-S-O-P-20MA-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-500-S-O-P-20MA-000-000.pdf |
