창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7922DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Si7922DN | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 195m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7922DN-T1-GE3TR SI7922DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7922DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7922D, SI7922DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
VJ0603D1R2BLPAC | 1.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R2BLPAC.pdf | ||
1808SC221MAT1C | 220pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808SC221MAT1C.pdf | ||
PTGL05AR550H4P51B0 | THERMISTOR PTC 80V 55 OHM 120C | PTGL05AR550H4P51B0.pdf | ||
CVPD-940-74.1758 | 74.1758MHz LVPECL VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 88mA Enable/Disable | CVPD-940-74.1758.pdf | ||
1SS351-TB-E | DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP | 1SS351-TB-E.pdf | ||
PT400-1200 | 400µH Shielded Toroidal Inductor 2.4A 250 mOhm Max Radial | PT400-1200.pdf | ||
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KTR18EZPF2402 | RES SMD 24K OHM 1% 1/4W 1206 | KTR18EZPF2402.pdf | ||
RR1220P-6490-D-M | RES SMD 649 OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-6490-D-M.pdf | ||
CRCW20101R65FNEF | RES SMD 1.65 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20101R65FNEF.pdf | ||
PWR221T-30-1002F | RES 10K OHM 30W 1% TO220 | PWR221T-30-1002F.pdf | ||
Y000710K2000B9L | RES 10.2K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y000710K2000B9L.pdf |