Vishay BC Components SI7923DN-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI7923DN-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI7923DN-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 807.78300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI7923DN-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI7923DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7923DN-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI7923DN-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI7923DN-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7923DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI7923DN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 47m옴 @ 6.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7923DN-T1-GE3TR SI7923DNT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI7923DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7923D, SI7923DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI7923DN-T1-GE3 의 관련 제품
 | LKS1J472MESB | 4700µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1000 Hrs @ 85°C | LKS1J472MESB.pdf | |
| BFC236855472 | 4700pF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.161" W (12.50mm x 4.10mm) | BFC236855472.pdf | |
 | 416F271X3ITT | 27.12MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271X3ITT.pdf | |
 | FXO-HC536R-31.45728 | 31.45728MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC536R-31.45728.pdf | |
 | BTA140-600,127 | TRIAC 600V 25A TO220AB | BTA140-600,127.pdf | |
 | 5900-330-RC | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 3.4A 37 mOhm Max Axial | 5900-330-RC.pdf | |
| RCH875NP-103K | 10mH Unshielded Wirewound Inductor 54mA 33 Ohm Max Radial | RCH875NP-103K.pdf | |
| 160-104JS | 100µH Unshielded Inductor 90mA 16 Ohm Max Nonstandard | 160-104JS.pdf | |
 | HS25 6R2 F | RES CHAS MNT 6.2 OHM 1% 25W | HS25 6R2 F.pdf | |
.jpg) | RT1206BRD0773R2L | RES SMD 73.2 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD0773R2L.pdf | |
 | CMF072R7000GNR6 | RES 2.7 OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF072R7000GNR6.pdf | |
 | CSM-015A-LF | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Absolute 0 mV ~ 66 mV (3V) 8-CSMD, No Lead | CSM-015A-LF.pdf |
