창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7949DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI7949DP | |
카탈로그 페이지 | 1661 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7949DP-T1-E3TR SI7949DPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7949DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7949D, SI7949DP-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | SIT5000AC-2E-18E0-24.00000Y | OSC XO 1.8V 24MHZ OE | SIT5000AC-2E-18E0-24.00000Y.pdf | |
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![]() | ASPI-2010-1R5M-T | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 174 mOhm Max Nonstandard | ASPI-2010-1R5M-T.pdf | |
![]() | 105-682JS | 6.8µH Unshielded Inductor 160mA 3.8 Ohm Max 2-SMD | 105-682JS.pdf | |
![]() | MCR03ERTF8202 | RES SMD 82K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03ERTF8202.pdf | |
![]() | RC2010JK-0762KL | RES SMD 62K OHM 5% 3/4W 2010 | RC2010JK-0762KL.pdf |