Silicon Labs SI8232DB-B-IS
- 제조업체 부품 번호
- SI8232DB-B-IS
- 제조업 자
- Silicon Labs
- 제품 카테고리
- 광절연기 - 게이트 구동기
- 간단한 설명
- 500mA Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 2 Channel
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI8232DB-B-IS 가격 및 조달
가능 수량
1164 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,998.81200
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI8232DB-B-IS, we specialize in all series Silicon Labs electronic components. SI8232DB-B-IS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8232DB-B-IS, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI8232DB-B-IS 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI8232DB-B-IS 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8232DB-B-IS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2A(4주) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| PCN 단종/ EOL | PCN-1404092 09/Apr/2014 | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광절연기 - 게이트 구동기 | |
| 제조업체 | Silicon Labs | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q100 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 기술 | 정전 용량 결합 | |
| 채널 개수 | 2 | |
| 전압 - 분리 | 5000Vrms | |
| 공통 모드 일시 내성(최소) | 20kV/µs | |
| 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) | 60ns, 60ns | |
| 펄스 폭 왜곡(최대) | 5.6ns | |
| 상승/하강 시간(통상) | 20ns, 20ns(최대) | |
| 전류 - 고출력, 저출력 | - | |
| 전류 - 피크 출력 | 500mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | - | |
| 전류 - DC 순방향(If) | - | |
| 전압 - 공급 | 4.5 V ~ 5.5 V | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | - | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 승인 | CQC, CSA, UR, VDE | |
| 표준 포장 | 46 | |
| 다른 이름 | 336-3001-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI8232DB-B-IS | |
| 관련 링크 | SI8232, SI8232DB-B-IS Datasheet, Silicon Labs Distributor | |
SI8232DB-B-IS 의 관련 제품
 | FK28C0G2E181J | 180pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FK28C0G2E181J.pdf | |
 | VJ0603D1R1BXPAP | 1.1pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R1BXPAP.pdf | |
 | VJ0805D110JXBAJ | 11pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D110JXBAJ.pdf | |
 | BZX384B4V3-HE3-18 | DIODE ZENER 4.3V 200MW SOD323 | BZX384B4V3-HE3-18.pdf | |
 | SRN5040-8R2M | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 2.2A 65 mOhm Max Nonstandard | SRN5040-8R2M.pdf | |
 | ISC1210SY6R8K | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 205mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210SY6R8K.pdf | |
 | 29L223C | 22µH Shielded Wirewound Inductor 1.05A 114 mOhm Max Nonstandard | 29L223C.pdf | |
 | RNCF1206BKC2K94 | RES SMD 2.94K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BKC2K94.pdf | |
 | RNF14BAC64K9 | RES 64.9K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAC64K9.pdf | |
 | CMF5520K080BHEA | RES 20.08K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5520K080BHEA.pdf | |
| CMF65R62000FNR711 | RES 0.62 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65R62000FNR711.pdf | |
 | CPR03910R0JE31 | RES 910 OHM 3W 5% RADIAL | CPR03910R0JE31.pdf |
