Vishay BC Components SI8439DB-T1-E1
- 제조업체 부품 번호
- SI8439DB-T1-E1
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI8439DB-T1-E1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 300.23136
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI8439DB-T1-E1, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI8439DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8439DB-T1-E1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI8439DB-T1-E1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI8439DB-T1-E1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8439DB-T1-E1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI8439DB | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-UFBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI8439DB-T1-E1TR SI8439DBT1E1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI8439DB-T1-E1 | |
| 관련 링크 | SI8439D, SI8439DB-T1-E1 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI8439DB-T1-E1 의 관련 제품
 | C1812C153KDRACTU | 0.015µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C153KDRACTU.pdf | |
 | F931C686KNC | 68µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | F931C686KNC.pdf | |
 | ASTMHTE-12.288MHZ-AR-E | 12.288MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-12.288MHZ-AR-E.pdf | |
 | SS19-E3/61T | DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO214AC | SS19-E3/61T.pdf | |
 | SDR0503-680KL | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 760 mOhm Max Nonstandard | SDR0503-680KL.pdf | |
 | HCF1007-4R7-R | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 9.4A 8.65 mOhm Nonstandard | HCF1007-4R7-R.pdf | |
 | MCR10ERTF1963 | RES SMD 196K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF1963.pdf | |
 | AA0402FR-072R55L | RES SMD 2.55 OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-072R55L.pdf | |
| AZ561KE | RES 560 OHM 5.5W 10% RADIAL | AZ561KE.pdf | |
| CPL-5211-20-NNN-79 | RF Directional Coupler 1GHz ~ 2GHz 20dB ± 1dB 50W N-Type In-Line Module | CPL-5211-20-NNN-79.pdf | |
 | CR4120S-50 | Current Sensor 50A 1 Channel Transformer w/Conditioning Bidirectional Module | CR4120S-50.pdf | |
| DP09SHN12A30F | DP09S HOR 12P NDET 30F M7*5MM | DP09SHN12A30F.pdf |
