창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI8800EDB-T2-E1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI8800EDB | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.3nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-XFBGA, CSPBGA | |
공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI8800EDB-T2-E1TR SI8800EDBT2E1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI8800EDB-T2-E1 | |
관련 링크 | SI8800E, SI8800EDB-T2-E1 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
UVR1C221MEA | 220µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVR1C221MEA.pdf | ||
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VJ1825Y184KBCAT4X | 0.18µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y184KBCAT4X.pdf | ||
9B-54.000MAAE-B | 54MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-54.000MAAE-B.pdf | ||
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RT0603BRD07261KL | RES SMD 261K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD07261KL.pdf | ||
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AC0603JR-071M1L | RES SMD 1.1M OHM 5% 1/10W 0603 | AC0603JR-071M1L.pdf | ||
RN73C2A34K8BTD | RES SMD 34.8KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A34K8BTD.pdf | ||
RG2012V-6981-D-T5 | RES SMD 6.98K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012V-6981-D-T5.pdf | ||
CMF5037R400FHEA | RES 37.4 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5037R400FHEA.pdf | ||
P51-200-G-Y-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-G-Y-P-4.5V-000-000.pdf |