Vishay BC Components SI8810EDB-T2-E1
- 제조업체 부품 번호
- SI8810EDB-T2-E1
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI8810EDB-T2-E1 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 121.57517
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI8810EDB-T2-E1, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI8810EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8810EDB-T2-E1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI8810EDB-T2-E1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI8810EDB-T2-E1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8810EDB-T2-E1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI8810EDB | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 72m옴 @ 1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 245pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-XFBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI8810EDB-T2-E1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI8810EDB-T2-E1 | |
| 관련 링크 | SI8810E, SI8810EDB-T2-E1 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI8810EDB-T2-E1 의 관련 제품
 | B43504C2108M67 | 1000µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 140 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504C2108M67.pdf | |
| VJ0805D330KXXAJ | 33pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D330KXXAJ.pdf | |
 | ECQ-E4334RKF | 0.33µF Film Capacitor 400V Polyester, Metallized Radial 0.728" L x 0.276" W (18.50mm x 7.00mm) | ECQ-E4334RKF.pdf | |
| MKP385191250JII2B0 | 910pF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | MKP385191250JII2B0.pdf | |
| T95R336M035EZSS | 33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V 2824 (7260 Metric) 280 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | T95R336M035EZSS.pdf | |
 | ASTMHTA-13.000MHZ-AR-E-T3 | 13MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-13.000MHZ-AR-E-T3.pdf | |
 | MMSZ5257B-HE3-18 | DIODE ZENER 33V 500MW SOD123 | MMSZ5257B-HE3-18.pdf | |
| 1331R-271K | 270nH Shielded Inductor 530mA 160 mOhm Max 2-SMD | 1331R-271K.pdf | |
| S0603-33NF3E | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 250 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-33NF3E.pdf | |
 | MCR01MRTJ752 | RES SMD 7.5K OHM 5% 1/16W 0402 | MCR01MRTJ752.pdf | |
-TNPW-SERIES.jpg) | TNPW060318R7BEEA | RES SMD 18.7 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060318R7BEEA.pdf | |
.jpg) | RP73D2B27K4BTDF | RES SMD 27.4K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B27K4BTDF.pdf |
