창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI9933CDY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI9933CDY | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1661 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 58m옴 @ 4.8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 665pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI9933CDY-T1-GE3TR SI9933CDYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI9933CDY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI9933CD, SI9933CDY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | BFC241901603 | Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | BFC241901603.pdf | |
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![]() | H4549RBDA | RES 549 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4549RBDA.pdf | |
![]() | P51-1000-A-AF-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Male - 9/16" (14.29mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-1000-A-AF-I12-20MA-000-000.pdf |