Vishay BC Components SIA427DJ-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIA427DJ-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIA427DJ-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
10150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 185.32800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIA427DJ-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIA427DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA427DJ-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIA427DJ-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIA427DJ-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA427DJ-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIA427DJ | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 8.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2300pF @ 4V | |
| 전력 - 최대 | 19W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIA427DJ-T1-GE3TR SIA427DJT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIA427DJ-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA427D, SIA427DJ-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIA427DJ-T1-GE3 의 관련 제품
 | MKP385333025JCI2B0 | 0.033µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | MKP385333025JCI2B0.pdf | |
| MKP385527025JI02W0 | 2.7µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.472" W (26.00mm x 12.00mm) | MKP385527025JI02W0.pdf | |
| SIT8209AI-33-33E-148.500000T | OSC XO 3.3V 148.5MHZ OE | SIT8209AI-33-33E-148.500000T.pdf | |
 | FDN5632N_F085 | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 | FDN5632N_F085.pdf | |
 | MDMK4040TR68MM | 680nH Shielded Wirewound Inductor 5A 29 mOhm Max Nonstandard | MDMK4040TR68MM.pdf | |
.jpg) | B82422A3820J100 | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 240 mOhm Max 2-SMD | B82422A3820J100.pdf | |
 | ESR10EZPJ155 | RES SMD 1.5M OHM 5% 0.4W 0805 | ESR10EZPJ155.pdf | |
.jpg) | SR1206JR-073RL | RES SMD 3 OHM 5% 1/4W 1206 | SR1206JR-073RL.pdf | |
 | CRCW251280K6FKEG | RES SMD 80.6K OHM 1% 1W 2512 | CRCW251280K6FKEG.pdf | |
 | RNF12FTD88K7 | RES 88.7K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD88K7.pdf | |
 | CW01036R70KE73 | RES 36.7 OHM 13W 10% AXIAL | CW01036R70KE73.pdf | |
| Y0075100R000T9L | RES 100 OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y0075100R000T9L.pdf |
