Vishay BC Components SIA430DJ-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIA430DJ-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIA430DJ-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 429.96096
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIA430DJ-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIA430DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA430DJ-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIA430DJ-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIA430DJ-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA430DJ-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIA430DJ | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.5m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 19.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIA430DJ-T1-GE3TR SIA430DJT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIA430DJ-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA430D, SIA430DJ-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIA430DJ-T1-GE3 의 관련 제품
.jpg) | UMK105B7102MV-F | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | UMK105B7102MV-F.pdf | |
-55.jpg) | C1608X5R1A225K080AC | 2.2µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X5R1A225K080AC.pdf | |
 | C0603C270J5GALTU | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C270J5GALTU.pdf | |
 | VJ0402D4R7DXBAJ | 4.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D4R7DXBAJ.pdf | |
 | 637P13303I3T | 133MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 88mA Enable/Disable | 637P13303I3T.pdf | |
 | ASTMHTV-66.666MHZ-AK-E-T | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-66.666MHZ-AK-E-T.pdf | |
 | CVCO55BE-2300-2360 | Center Frequency 2330MHz Voltage Controlled Oscillator 0.5 ~ 4.5 V 0 ±2 dBm -12 dBc | CVCO55BE-2300-2360.pdf | |
 | RN1506(TE85L,F) | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV | RN1506(TE85L,F).pdf | |
 | 784775118 | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 1.89A 100 mOhm Max Nonstandard | 784775118.pdf | |
 | 37501C | 500nH Unshielded Wirewound Inductor 19.5A 1 mOhm Max Nonstandard | 37501C.pdf | |
 | CRCW2010324KFKEFHP | RES SMD 324K OHM 1% 1W 2010 | CRCW2010324KFKEFHP.pdf | |
 | RSMF5JB3R00 | RES METAL OX 5W 3 OHM 5% AXL | RSMF5JB3R00.pdf |
