창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA449DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIA449DJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | 12 V, -20 V, and -30 V Gen III P-Channel MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2140pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA449DJ-T1-GE3TR SIA449DJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIA449DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA449D, SIA449DJ-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | AGA-7-1/2 | FUSE GLASS 7.5A 125VAC | AGA-7-1/2.pdf | |
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![]() | MLG0603S1N0CTD25 | 1nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 100 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S1N0CTD25.pdf | |
![]() | HM53-002R0VLF | 2µH Unshielded Toroidal Inductor 8.5A 4.8 mOhm Max Radial | HM53-002R0VLF.pdf | |
![]() | CRGH0603F20K5 | RES SMD 20.5K OHM 1% 1/5W 0603 | CRGH0603F20K5.pdf | |
![]() | RT1206CRC071K33L | RES SMD 1.33KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC071K33L.pdf | |
![]() | SM108035005FE | RES 50M OHM 2.5W 1% RADIAL | SM108035005FE.pdf | |
![]() | CMF5526K700FEEA | RES 26.7K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5526K700FEEA.pdf | |
![]() | MS-DP1-7 | CONV BUSHING M5 - RC1/8 THREAD | MS-DP1-7.pdf |