창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA456DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIA456DJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.38옴 @ 750mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA456DJ-T1-GE3TR SIA456DJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIA456DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA456D, SIA456DJ-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 445A2XD20M00000 | 20MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A2XD20M00000.pdf | |
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![]() | HLMP-3351-D0002 | Red 626nm LED Indication - Discrete 1.9V Radial | HLMP-3351-D0002.pdf | |
![]() | RCH855NP-390K | 39µH Unshielded Wirewound Inductor 590mA 210 mOhm Max Radial | RCH855NP-390K.pdf | |
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![]() | CRCW2010221RFKTF | RES SMD 221 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW2010221RFKTF.pdf | |
![]() | RNF18FTD374K | RES 374K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD374K.pdf | |
![]() | MA501.C.AC.001 | 3.8GHz Bluetooth, GPS, WLAN, Zigbee™ Dome RF Antenna 2.4GHz ~ 5.2GHz 32dBic, 4.71dBi Connector, SMA Male Panel Mount | MA501.C.AC.001.pdf |