Vishay BC Components SIA483DJ-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIA483DJ-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIA483DJ-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
13150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 163.08864
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIA483DJ-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIA483DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA483DJ-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIA483DJ-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIA483DJ-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA483DJ-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIA483DJ | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | 12 V, -20 V, and -30 V Gen III P-Channel MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1550pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 19W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIA483DJ-T1-GE3TR SIA483DJT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIA483DJ-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA483D, SIA483DJ-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIA483DJ-T1-GE3 의 관련 제품
 | UTT1C101MDD | 100µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UTT1C101MDD.pdf | |
.85mm.jpg) | GRM2165C2A181JA01D | 180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2165C2A181JA01D.pdf | |
 | GRM1887U1H103JA01D | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U1H103JA01D.pdf | |
 | C336C105M5U5CA9458 | 1µF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | C336C105M5U5CA9458.pdf | |
 | SPJ-4K250 | FUSE 250A 1KV RADIAL BEND | SPJ-4K250.pdf | |
 | LR4-450F | POLYSWITCH PTC RESET 4.5A STRAP | LR4-450F.pdf | |
 | ASTMHTA-12.000MHZ-ZC-E | 12MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-12.000MHZ-ZC-E.pdf | |
 | IXFP4N60P3 | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB | IXFP4N60P3.pdf | |
| 9050F-100-0008 | LC EMI Filter 2nd Order Low Pass 1 Channel C = 0.7µF 15A Axial, Bushing, 1 Turret Lead | 9050F-100-0008.pdf | |
 | ISC1210BN4R7K | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 220mA 1.25 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210BN4R7K.pdf | |
.jpg) | PHP00805E4220BBT1 | RES SMD 422 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E4220BBT1.pdf | |
 | OPB350W187Z | SENS OPTO SLOT 4.78MM TRANS C-MT | OPB350W187Z.pdf |
