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Vishay BC Components SIA817EDJ-T1-GE3

SIA817EDJ-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SIA817EDJ-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
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내부 부품 번호EIS-SIA817EDJ-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIA817EDJ
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 설계/사양SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015
PCN 조립/원산지Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열LITTLE FOOT®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 쇼트키, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs65m옴 @ 3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs23nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds600pF @ 15V
전력 - 최대6.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerPAK® SC-70-6 이중
공급 장치 패키지PowerPAK® SC-70-6 이중
표준 포장 3,000
다른 이름SIA817EDJ-T1-GE3TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SIA817EDJ-T1-GE3
관련 링크SIA817ED, SIA817EDJ-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
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