창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA910EDJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIA910EDJ | |
PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 5.2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 455pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA910EDJ-T1-GE3TR SIA910EDJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIA910EDJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA910ED, SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | W1X103SCVCRUKR | 10000pF 275VAC 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.591" Dia(15.00mm) | W1X103SCVCRUKR.pdf | |
![]() | 1825WC472MAT3A | 4700pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825WC472MAT3A.pdf | |
![]() | VS-20TQ035STRLPBF | DIODE SCHOTTKY 20A D2PAK | VS-20TQ035STRLPBF.pdf | |
![]() | IRF7473PBF | MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC | IRF7473PBF.pdf | |
![]() | ERJ-S08F2263V | RES SMD 226K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F2263V.pdf | |
![]() | TNPW1210390RBETA | RES SMD 390 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210390RBETA.pdf | |
![]() | Y16241K20000B23W | RES SMD 1.2K OHM 0.1% 1/5W 0805 | Y16241K20000B23W.pdf | |
![]() | EXB-28V434JX | RES ARRAY 4 RES 430K OHM 0804 | EXB-28V434JX.pdf | |
![]() | CMF604K0200FKEB | RES 4.02K OHM 1W 1% AXIAL | CMF604K0200FKEB.pdf | |
![]() | CP0005200R0JE66 | RES 200 OHM 5W 5% AXIAL | CP0005200R0JE66.pdf |