창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIB452DK-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIB452DK | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 190V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 135pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-75-6L | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-75-6L 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIB452DK-T1-GE3TR SIB452DKT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIB452DK-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIB452D, SIB452DK-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 3KP43A-TP | TVS DIODE 43VWM 69.4VC R6 | 3KP43A-TP.pdf | |
7446323004 | 4mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 3A DCR 70 mOhm | 7446323004.pdf | ||
![]() | LQP03TG0N2B02D | 0.2nH Unshielded Thin Film Inductor 850mA 80 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TG0N2B02D.pdf | |
![]() | 7-1415534-8 | RELAY GEN PURP | 7-1415534-8.pdf | |
![]() | ERJ-3EKF1581V | RES SMD 1.58K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF1581V.pdf | |
![]() | AC1206FR-071M2L | RES SMD 1.2M OHM 1% 1/4W 1206 | AC1206FR-071M2L.pdf | |
![]() | RG1005V-4640-W-T1 | RES SMD 464 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-4640-W-T1.pdf |