창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIB457EDK-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIB457EDK | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 4.8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-75-6L | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-75-6L 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIB457EDK-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIB457ED, SIB457EDK-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | MDD220-16N1 | DIODE MODULE 1.6KV 270A Y2-DCB | MDD220-16N1.pdf | |
![]() | P160-102HS | 1µH Unshielded Inductor 1.48A 56 mOhm Max Nonstandard | P160-102HS.pdf | |
![]() | HS15 40R F | RES CHAS MNT 40 OHM 1% 15W | HS15 40R F.pdf | |
![]() | RMCF0603FT2M80 | RES SMD 2.8M OHM 1% 1/10W 0603 | RMCF0603FT2M80.pdf | |
![]() | SM4124FT120R | RES SMD 120 OHM 1% 2W 4124 | SM4124FT120R.pdf | |
![]() | RG1608V-3160-B-T5 | RES SMD 316 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608V-3160-B-T5.pdf | |
![]() | P51-2000-S-S-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Female - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-S-S-I12-4.5V-000-000.pdf |