창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIE822DF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIE822DF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 18.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-PolarPAK®(S) | |
공급 장치 패키지 | 10-PolarPAK®(S) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIE822DF-T1-GE3TR SIE822DFT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIE822DF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIE822D, SIE822DF-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | CL31B224KBFNFNE | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31B224KBFNFNE.pdf | |
![]() | VJ0805D121JLPAR | 120pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D121JLPAR.pdf | |
![]() | NOJA685M010RWJ | 6.8µF Niobium Oxide Capacitor 10V 1206 (3216 Metric) 2.6 Ohm ESR | NOJA685M010RWJ.pdf | |
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![]() | MMPQ3904 | TRANS 4NPN 40V 0.2A 16SOIC | MMPQ3904.pdf | |
![]() | HM53-208R0HLF | 8µH Unshielded Toroidal Inductor 6A 8.3 mOhm Max Radial | HM53-208R0HLF.pdf | |
![]() | RCP0505B130RJS3 | RES SMD 130 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B130RJS3.pdf | |
![]() | MRS16000C6812FC100 | RES 68.1K OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C6812FC100.pdf | |
![]() | MLX90333SDC-BCH-000-RE | IC SENSOR INTERFACE PROGR 8SOIC | MLX90333SDC-BCH-000-RE.pdf |