창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIE832DF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIE832DF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 77nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-PolarPAK®(S) | |
공급 장치 패키지 | 10-PolarPAK®(S) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIE832DF-T1-GE3TR SIE832DFT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIE832DF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIE832D, SIE832DF-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 9B-54.000MAAE-B | 54MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-54.000MAAE-B.pdf | |
![]() | BZX55B3V3-TR | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | BZX55B3V3-TR.pdf | |
![]() | 2EZ10D/TR12 | DIODE ZENER 10V 2W DO204AL | 2EZ10D/TR12.pdf | |
![]() | CRCW1206243KFKEA | RES SMD 243K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206243KFKEA.pdf | |
![]() | RT0603CRB074K99L | RES SMD 4.99K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRB074K99L.pdf | |
![]() | RT0603WRC0751RL | RES SMD 51 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRC0751RL.pdf | |
![]() | CFR-25JR-52-150K | RES 150K OHM 1/4W 5% AXIAL | CFR-25JR-52-150K.pdf | |
![]() | MFR-25FBF52-17K4 | RES 17.4K OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-17K4.pdf | |
![]() | FS-20SCBE250R0JE | RES 250 OHM 20W 5% WW RAD | FS-20SCBE250R0JE.pdf |