Vishay BC Components SIE868DF-T1-GE3

SIE868DF-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SIE868DF-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
Datesheet 다운로드
다운로드
SIE868DF-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,200.92544
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIE868DF-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIE868DF-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIE868DF-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIE868DF-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIE868DF-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIE868DF-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIE868DF
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C60A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.3m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs145nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6100pF @ 20V
전력 - 최대125W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스10-PolarPAK® L
공급 장치 패키지10-PolarPAK® L
표준 포장 3,000
다른 이름SIE868DF-T1-GE3TR
SIE868DFT1GE3
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIE868DF-T1-GE3
관련 링크SIE868D, SIE868DF-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SIE868DF-T1-GE3 의 관련 제품
0.47µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) CGJ5L2X7R1H474K160AA.pdf
1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) SR591C102KAATR1.pdf
5.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) 06033A5R6GAT2A.pdf
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 IPB015N04N G.pdf
Red 630nm LED Indication - Discrete 1.9V Radial SLI-560UTT32.pdf
2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 300 mOhm ET3542-053.pdf
10nH Unshielded Wirewound Inductor 475mA 210 mOhm Max 0402 (1005 Metric) S0402-10NJ3S.pdf
6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) S0402-6N8G2S.pdf
RES SMD 1.2M OHM 5% 0.4W 0805 ESR10EZPJ125.pdf
RES SMD 68 OHM 1% 1/20W 0201 ERJ-1GNF68R0C.pdf
RES SMD 113KOHM 0.05% 1/10W 0603 RG1608P-1133-W-T1.pdf
RES 37.4 OHM 1/8W 1% AXIAL RNF18FTD37R4.pdf