창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIE878DF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIE878DF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 12.5V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-PolarPAK® L | |
공급 장치 패키지 | 10-PolarPAK® L | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIE878DF-T1-GE3TR SIE878DFT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIE878DF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIE878D, SIE878DF-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
LLS2A392MELB | 3900µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C | LLS2A392MELB.pdf | ||
C1005C0G1H050B050BA | 5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005C0G1H050B050BA.pdf | ||
C0805C182J3GACTU | 1800pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C182J3GACTU.pdf | ||
VJ0603D1R9CLXAJ | 1.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R9CLXAJ.pdf | ||
1.5SMC6.8CA-M3/57T | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC SMCJ | 1.5SMC6.8CA-M3/57T.pdf | ||
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PHP00805E4220BST1 | RES SMD 422 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E4220BST1.pdf | ||
CW01031R60KE733 | RES 31.6 OHM 13W 10% AXIAL | CW01031R60KE733.pdf |