창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIE882DF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIE882DF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 145nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6400pF @ 12.5V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-PolarPAK® L | |
공급 장치 패키지 | 10-PolarPAK® L | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIE882DF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIE882D, SIE882DF-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | MAL219826681E3 | 680µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 140 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | MAL219826681E3.pdf | |
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![]() | FA-238 30.0000MB50X-K0 | 30MHz ±50ppm 수정 10pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 30.0000MB50X-K0.pdf | |
![]() | EMD5T2R | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | EMD5T2R.pdf | |
![]() | 3386X-1-503LF | 50k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3386X-1-503LF.pdf | |
![]() | CRCW0805220RJNEA | RES SMD 220 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW0805220RJNEA.pdf | |
![]() | TNPW0805493RBEEA | RES SMD 493 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805493RBEEA.pdf | |
![]() | RSF2JTR910 | RES MO 2W 0.91 OHM 5% AXIAL | RSF2JTR910.pdf | |
![]() | CW01054K00KE73 | RES 54K OHM 13W 10% AXIAL | CW01054K00KE73.pdf |