Vishay BC Components SIHB12N60E-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIHB12N60E-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 12A TO263
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIHB12N60E-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1910 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,076.13800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIHB12N60E-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHB12N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB12N60E-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIHB12N60E-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIHB12N60E-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHB12N60E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIHB12N60E | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 937pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 147W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SIHB12N60EGE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIHB12N60E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHB12N, SIHB12N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIHB12N60E-GE3 의 관련 제품
 | 08051A120JAT4A | 12pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A120JAT4A.pdf | |
 | SR215A102FAATR1 | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR215A102FAATR1.pdf | |
 | SFA66S1K219B | 1µF Film Capacitor 660V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 2.160" L x 1.310" W (54.86mm x 33.27mm), Lip | SFA66S1K219B.pdf | |
 | TBJE157K010CRDZ0H23 | 150µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 100 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TBJE157K010CRDZ0H23.pdf | |
| SG-310SCN 50.0000MJ3 | 50MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 5mA Standby (Power Down) | SG-310SCN 50.0000MJ3.pdf | |
 | APT12057B2FLLG | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | APT12057B2FLLG.pdf | |
 | CM453232-102KL | 1mH Unshielded Wirewound Inductor 30mA 40 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | CM453232-102KL.pdf | |
.jpg) | HK060339NJ-T | 39nH Unshielded Multilayer Inductor 100mA 1.72 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | HK060339NJ-T.pdf | |
 | ERJ-14YJ680U | RES SMD 68 OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-14YJ680U.pdf | |
 | SMW268RJT | RES SMD 68 OHM 5% 2W 2616 | SMW268RJT.pdf | |
 | MLX90316KDC-BCG-300-SP | IC SENSOR INTERFACE ROTARY 8SOIC | MLX90316KDC-BCG-300-SP.pdf | |
| P51-15-G-UCF-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-15-G-UCF-I36-4.5V-000-000.pdf |
