창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB16N50C-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIH(P,B,F)16N50C | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHB16N50C-E3 | |
관련 링크 | SIHB16, SIHB16N50C-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
C1005X5R1V105M050BC | 1µF 35V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005X5R1V105M050BC.pdf | ||
C941U472MZVDBA7317 | 4700pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | C941U472MZVDBA7317.pdf | ||
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FP0404R1-R110-R | 110nH Unshielded Wirewound Inductor 19A 0.32 mOhm Nonstandard | FP0404R1-R110-R.pdf | ||
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CP0005100R0JE663 | RES 100 OHM 5W 5% AXIAL | CP0005100R0JE663.pdf | ||
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MLH250BSG02B | Pressure Sensor 3625.94 PSI (25000 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 4 mA ~ 20 mA Cylinder, Metal | MLH250BSG02B.pdf |