Vishay BC Components SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3
제조업체 부품 번호
SIHB20N50E-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 19A TO-263
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SIHB20N50E-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIHB20N50E-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIHB20N50E
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C19A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs184m옴 @ 10A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs92nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1640pF @ 100V
전력 - 최대179W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D²PAK(TO-263)
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SIHB20N50E-GE3
관련 링크SIHB20N, SIHB20N50E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
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RES 0.06 OHM 4.5W 1% AXIAL 14FPR060E.pdf
RES 28.077KOHM 0.6W 0.01% RADIAL Y118928K0770TR13L.pdf
Accelerometer X, Y, Z Axis ±3g 1.6kHz (X,Y), 550Hz (Z) 16-LFCSP-LQ (3x3) ADXL337BCPZ-RL7.pdf
OPTICAL ENCODER 61A16-080.pdf