Vishay BC Components SIHB21N65EF-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIHB21N65EF-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIHB21N65EF-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,887.75620
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIHB21N65EF-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHB21N65EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB21N65EF-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIHB21N65EF-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIHB21N65EF-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHB21N65EF-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIHB21N65EF | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 106nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2322pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 208W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SiHB21N65EF-GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIHB21N65EF-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHB21N, SIHB21N65EF-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIHB21N65EF-GE3 의 관련 제품
 | GRM033R61A562KA01D | 5600pF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM033R61A562KA01D.pdf | |
 | SA105C104JAR | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA105C104JAR.pdf | |
 | TAAD336M035G | 33µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 35V Axial 800 mOhm 0.354" Dia x 0.783" L (9.00mm x 19.90mm) | TAAD336M035G.pdf | |
 | ASTMHTA-10.000MHZ-XJ-E-T3 | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-10.000MHZ-XJ-E-T3.pdf | |
 | 1PMT5929E3/TR13 | DIODE ZENER 15V 3W DO216AA | 1PMT5929E3/TR13.pdf | |
 | IXTA1N120P | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263 | IXTA1N120P.pdf | |
| IRFBC40STRR | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | IRFBC40STRR.pdf | |
 | SPMWH1229AD7SGWMSA | LED Lighting LM283B White, Warm 2700K 9.4V 100mA 120° 2-SMD, Flat Lead | SPMWH1229AD7SGWMSA.pdf | |
 | HS75 680R F | RES CHAS MNT 680 OHM 1% 75W | HS75 680R F.pdf | |
 | CRCW20101K74FKEF | RES SMD 1.74K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20101K74FKEF.pdf | |
 | RG2012N-1151-D-T5 | RES SMD 1.15K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-1151-D-T5.pdf | |
| RG2012V-752-W-T5 | RES SMD 7.5K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-752-W-T5.pdf |
