창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB30N60E-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiHB30N60E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHB30N60E-E3 | |
관련 링크 | SIHB30, SIHB30N60E-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | MDR-136-1 | RELAY | MDR-136-1.pdf | |
![]() | ERJ-1TNF1622U | RES SMD 16.2K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF1622U.pdf | |
![]() | AT0603CRD072K55L | RES SMD 2.55K OHM 1/10W 0603 | AT0603CRD072K55L.pdf | |
![]() | TC164-FR-072K61L | RES ARRAY 4 RES 2.61K OHM 1206 | TC164-FR-072K61L.pdf | |
![]() | CFM14JT75R0 | RES 75 OHM 1/4W 5% CF MINI | CFM14JT75R0.pdf | |
![]() | CMF20680R00GKBF | RES 680 OHM 1W 2% AXIAL | CMF20680R00GKBF.pdf | |
![]() | CMF50255K00FKBF | RES 255K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50255K00FKBF.pdf | |
![]() | CMF651K5000FHBF70 | RES 1.5K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651K5000FHBF70.pdf |