창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB33N60EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHB33N60EF | |
애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 16.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3454pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 278W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHB33N60EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHB33N, SIHB33N60EF-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | TAJE227K006H | 220µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 400 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJE227K006H.pdf | |
![]() | B82442H1182K | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 2A 40 mOhm Max 2-SMD | B82442H1182K.pdf | |
![]() | PTHF250-59VM | 250µH Shielded Toroidal Inductor 3.5A 88 mOhm Max Radial | PTHF250-59VM.pdf | |
![]() | CD4825E1UH | Solid State Relay DPST (2 Form A) Hockey Puck | CD4825E1UH.pdf | |
![]() | ERJ-3EKF26R7V | RES SMD 26.7 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF26R7V.pdf | |
![]() | RCL06122R74FKEA | RES SMD 2.74 OHM 1/2W 1206 WIDE | RCL06122R74FKEA.pdf | |
![]() | CRCW06038R45FNEA | RES SMD 8.45 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06038R45FNEA.pdf | |
![]() | MRS25000C4024FCT00 | RES 4.02M OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C4024FCT00.pdf |