Vishay BC Components SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3
제조업체 부품 번호
SIHD3N50D-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
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SIHD3N50D-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIHD3N50D-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIHD3N50D
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.2옴 @ 2.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs12nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds175pF @ 100V
전력 - 최대69W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252AA
표준 포장 3,000
다른 이름SIHD3N50D-GE3CT
SIHD3N50D-GE3CT-ND
SIHD3N50DGE3
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SIHD3N50D-GE3
관련 링크SIHD3N, SIHD3N50D-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
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