Vishay BC Components SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3
제조업체 부품 번호
SIHD6N62E-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
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내부 부품 번호EIS-SIHD6N62E-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIHD6N62E-GE3
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)620V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs900m옴 @ 3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs34nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds578pF @ 100V
전력 - 최대78W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지D-PAK(TO-252AA)
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SIHD6N62E-GE3
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