창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHD7N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHD7N60E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIHD7N60EGE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHD7N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHD7N, SIHD7N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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UP050SL5R6K-NAC | 5.6pF 50V 세라믹 커패시터 SL 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050SL5R6K-NAC.pdf | ||
C0402C0G1C0R8B | 0.80pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402C0G1C0R8B.pdf | ||
BFC237015184 | 0.18µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | BFC237015184.pdf | ||
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CP00052K700JB143 | RES 2.7K OHM 5W 5% AXIAL | CP00052K700JB143.pdf |