창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHF15N65E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHF15N65E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1640pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 34W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHF15N65E-GE3CT SIHF15N65E-GE3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHF15N65E-GE3 | |
관련 링크 | SIHF15N, SIHF15N65E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | VJ0603D1R1DLBAJ | 1.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R1DLBAJ.pdf | |
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![]() | BFC237590455 | 0.15µF Film Capacitor 400V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.181" L x 0.472" W (30.00mm x 12.00mm) | BFC237590455.pdf | |
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![]() | GKR130/08 | DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA | GKR130/08.pdf | |
![]() | LA E65F-CADA-24-3A4B-Z | Amber 617nm LED Indication - Discrete 2.15V 4-PLCC | LA E65F-CADA-24-3A4B-Z.pdf | |
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![]() | 7448050219 | 190mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 310 mOhm | 7448050219.pdf | |
![]() | S0402-15NG2C | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 475mA 220 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-15NG2C.pdf | |
![]() | RC0603DR-0756KL | RES SMD 56K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RC0603DR-0756KL.pdf | |
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