Vishay BC Components SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3
제조업체 부품 번호
SIHF30N60E-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Datesheet 다운로드
다운로드
SIHF30N60E-GE3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 3,805.40200
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIHF30N60E-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHF30N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHF30N60E-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIHF30N60E-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIHF30N60E-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIHF30N60E-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIHP30N60E
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C29A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs125m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs130nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2600pF @ 100V
전력 - 최대37W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220 풀팩(Full Pack)
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIHF30N60E-GE3
관련 링크SIHF30N, SIHF30N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SIHF30N60E-GE3 의 관련 제품
47000µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 10 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C B41560A7479M.pdf
1µF Film Capacitor 2000V (2kV) Paper, Metallized Radial, Can 2.160" L x 1.310" W (54.86mm x 33.27mm), Lip T20W1NR-F.pdf
10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 2824 (7260 Metric) 480 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) 592D106X0025R2T15H.pdf
DIODE AVAL 1A 400V SOD-57 SF4004-TR.pdf
5k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment 3362H-1-502LF.pdf
Shielded 2 Coil Inductor Array 2.719mH Inductance - Connected in Series 679.8µH Inductance - Connected in Parallel 1.1 Ohm DC Resistance (DCR) - Parallel 700mA Nonstandard DRQ125-681-R.pdf
10µH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 33 mOhm Nonstandard 744314101.pdf
47µH Unshielded Wirewound Inductor 960mA 170 mOhm Max Radial RLB0912-470KL.pdf
78nH Unshielded Wirewound Inductor 590mA 410 mOhm Max 0603 (1608 Metric) LQW18AN78NG80D.pdf
RES SMD 137K OHM 1% 1/4W 1206 CRCW1206137KFKTA.pdf
RES 2.4 OHM 1/2W 5% AXIAL RC12JT2R40.pdf
RES 150 OHM 8W 0.1% TO220-2 Y1622150R000B0L.pdf