Vishay BC Components SIHG17N60D-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIHG17N60D-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIHG17N60D-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,902.31000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIHG17N60D-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHG17N60D-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG17N60D-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIHG17N60D-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIHG17N60D-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHG17N60D-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIHG17N60D | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 340m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1780pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 277.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIHG17N60D-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHG17N, SIHG17N60D-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIHG17N60D-GE3 의 관련 제품
 | 35TZV22M6.3X6.1 | 22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | 35TZV22M6.3X6.1.pdf | |
| B41827C7108M | 1000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | B41827C7108M.pdf | |
 | 0805YC224JAT2A | 0.22µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 0805YC224JAT2A.pdf | |
 | CBR08C608B5GAC | 0.60pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C608B5GAC.pdf | |
 | LD12CC102KAB1A | 1000pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | LD12CC102KAB1A.pdf | |
 | B32671L123J189 | 0.012µF Film Capacitor 500V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.236" W (13.00mm x 6.00mm) | B32671L123J189.pdf | |
 | ICTE10HE3/73 | TVS DIODE 10VWM 14.1VC 1.5KE | ICTE10HE3/73.pdf | |
-2.50-mm-x-2.00-mm.jpg) | DSC1001DI5-029.4912T | 29.4912MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001DI5-029.4912T.pdf | |
.jpg) | SR0805KR-0727RL | RES SMD 27 OHM 10% 1/8W 0805 | SR0805KR-0727RL.pdf | |
.jpg) | PHP00805H6040BBT1 | RES SMD 604 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H6040BBT1.pdf | |
 | MBA02040C1801FRP00 | RES 1.8K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1801FRP00.pdf | |
 | FRM3WSJR-73-470R | RES 470 OHM 3W 5% AXIAL | FRM3WSJR-73-470R.pdf |
